BST薄膜相关论文
钛酸锶钡(Ba1-xSrxTiO3,简称BST)是一种常见的电介质材料,具有优异的介电、挠曲电、压电以及铁电性能,在微波、传感器、存储器件等......
本文对采用溶胶-凝胶法（Sol-gel法）制备的Ba_xSr_(1-x)TiO_3（BST）薄膜的工艺进行了初步研究，制备出了光滑均一的BST薄膜。对不同情况下......
本文对应用于DRAM电容介质的钛酸锶钡(BST)薄膜材料的制备与性能进行了研究。采用溶胶—凝胶方法以廉价的Ba和Sr的醋酸盐为前......
本文以Ba(OAc)2、Sr(OAc)2以及Ti(OC4H9)4为原材料，采用了溶胶-凝胶法，制备了光滑均一的BST薄膜，并对不同条件下制备出的BST薄膜的结......
红外成像系统最终要实现小型化、低成本、高性能和高可靠性的全被动式工作。光量子探测器有很高的红外响应特性和灵敏度，但致冷要求......
本论文系统研究了Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)薄膜的介电性质与薄膜微观结构、尺寸之间的依赖关系。首先本论文采用了射频磁控溅射技术(RF......
(Sr,Ba)TiO3薄膜在DRAM、相位移器、热释电探测器等领域的应用前景已成为国内外材料研究的主要领域之一。本文以Ba(OAc)2，Sr(OAc)2.......
(Ba,Sr)TiO_3(简称BST)是一种钙钛矿结构的铁电材料,具有介电常数高、漏电流密度小、热释电性能优良以及居里温度可调等特点,是制......
BST薄膜具有高介电系数、低漏电流密度、居里温度可调以及优异的热释电性能等优点,可被广泛应用于非制冷红外探测器、动态随机存储......
氧化物导电薄膜锰酸锶镧(La1-xSrxMnO3，LSM)、钴酸锶镧(La1-xSrxCoO3，LSC)作为铁电薄膜钛酸锶钡(BST)电容器、传感器等的电极材料或......
具有钙钛矿结构的钛酸锶钡BST(BaxSr1—xTiO3)是钛酸钡(BaTiO3)与钛酸锶(SrTiO3)的固溶体，BST薄膜由于具有高介电常数、低介电损耗......
钛酸锶钡(Ba_xSr_(1-x)TiO_3,简称BST)在研制电可调谐器件(如微波铁电移相器)具有巨大的应用潜力。但纯BST在调谐率较高时,介电常......
随着当今社会科学的不断发展，对存储器的要求越来越高，现代的存储器件已经达到了瓶颈，因此，很多新型存储器被大家提出和进行了系统的研......
采用微波加热技术和添加高分子分散剂,通过sol-gel法制备BST纳米粉体,再将纳米粉分散于BST溶胶中,通过分步甩胶工艺,制备BST陶瓷膜......
研究了一种以乙二醇为稳定剂的新的ＢＳＴ前驱液，用ｓｏｌ－ｇｅｌ法在Ｐｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ２／Ｓｉ（１００）基底上成功地制备出具有优良电学性能的Ｂａ０．７Ｓｒ０．３ ＴｉＯ３薄膜．乙二醇的加入有效地增加了前驱液的稳......
应用Sol-Gel工艺制备了BST薄膜 .应用复阻抗谱和模量谱技术研究了BST薄膜的介电响应 ,实验结果表明 :BST薄膜的阻抗谱曲线是一个完......
用动态法测量了相变热释电材料(Ba0.65Sr0.35)TiO3薄膜的热释电系数,并对相变热释电系数的计算进行了理论分析.先测量了传统热释电......
采用高度稀释的前驱体溶液在LaNiO3 (LNO)薄膜上沉积了Ba0 .9Sr0 .1TiO3 (BST)薄膜 .X 射线衍射分析表明BST薄膜呈高度的 (10 0 )......
用ＦＴＩＲ分析，结合ＤＳＣ、ＸＲＤ、ＡＦＭ实验结果，展示了ｓｏｌ－ｇｅｌ法制备ＢａｘＳｒ１－ｘＴｉＯ３（ＢＳＴ）薄膜热演化过程的化学机制．研究表明：螯合剂ＨＡＣＡＣ的引入减缓钛醇盐水解速率、改善晶化途径、降低结晶......
用椭偏光谱仪首次在光子能量为２．１～５．２ｅＶ的范围内，测量了不同热处理温度下Ｂａ０．９Ｓｒ０．１ＴｉＯ３（ＢＳＴ）薄膜的椭偏光谱，建立适当的拟合模型，并用Ｃａｕｃｈｙ色散模型描述ＢＳＴ薄膜的光学性质......
研究利用钡、锶的碳酸盐代替醋酸盐,采用sol-gel技术制备Ba1-xSrxTiO3(BST)铁电薄膜的工艺过程.以碳酸钡、碳酸锶和钛酸四丁酯作原......
采用改进的溶胶-凝胶(sol-gel)工艺制备了掺Bi(Ba0.65Sr0.35)Ti O3(简称BSTBi)薄膜.XRD研究结果表明,BST系列薄膜具有单一钙钛矿结......
基于Ba_xS_（rl-x）TiO_2（BST）在微波调制器件上的应用,采用射频磁控溅射在Si衬底上制备了BST铁电薄膜,利用透射电子显微镜（TEM）对薄膜的内......
采用醋酸水溶液体系溶胶-凝胶法制备了未掺杂和掺Mn(Ⅱ)钛酸锶钡(BST)薄膜.用这种方法,可在BST体系中容易地加入任何浓度的金属离......
BaxSr1-xTiO3(BST)是动态随机存取存储器(DRAM)中常规电容介质SiO2的替代材料.用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法在Si及Pt/Ti/SiO2/Si基片上......
应用溶胶-凝胶(S01-Gel)工艺制备了组分为r(Ba:Sr)＝0.65:0.35的BST薄膜,研究了BST薄膜的显微结构、介电特性和漏电流特性,实验结果......
在醋酸水溶液体系中采用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上制备了未掺杂和掺Ni的钛酸锶钡(BST)薄膜,研究了Ni的加入对BST薄膜......
研究了微量元素铋对Sr0.5Ba0.5-xBixTiO3薄膜介电性能的影响。当X分别为0～0．030mol时，相对介电常数εr、介质损耗tanδ逐渐降低，最大介......
磁控溅射技术在薄膜制备领域有着广泛的应用。本文在介绍磁控溅射法制备薄膜材料的基本原理和流程基础之上，详细分析了溅射工艺参数......
用R.F.磁控溅射法在石英衬底上沉积Ba0.65Sr0.35TiO3薄膜,应用XRD与SEM表征了BST薄膜的晶化行为及其表面形貌.在550 ℃衬底温度下......
采用射频磁控溅射法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了钛酸锶钡(BST)薄膜.利用X射线光电子能谱(XPS)、X射线衍射(XRD)分别研究了BST薄膜......
Ba1-xSrxTiO3铁电薄膜具有优良的介电性、铁电性、热释电性，得到了广泛的研究，近年来取得了很多进展。简介了BST材料的结构，并综述了B......
采用Sol—Gel工艺，在Si（100）衬底上制备了Ba1-xSrxTiO3（0．1≤x≤0．3）多晶薄膜，并用椭偏光谱仪在光子能量为2．0—5．2eV的范围内，测量了不同Sr含......
用溶胶-凝胶法制备了不同浓度（0、1％、3％、5％（摩尔分数））的Nd掺杂钛酸锶钡（Ba0.65Sr0．35TiO3，BST）薄膜。XRD结果表明，经700℃退火1h后，样品晶化......
运用溶胶-凝胶法在Si／SiO2／Ti／Pt基底上制备了掺杂不同量的Y^3＋的单层Ba0.65Sr0.35TiO3（BST）薄膜和并联结构的BST／ZrO2复合薄膜。研究发现......
用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了系列Mn-Mg共掺杂的钛酸锶钡（Ba0.25Sr0.75TiO3）薄膜.X射线衍射以及场发射扫描电镜分析表......
采用溶胶-凝胶法制备了1mol%、3mol%、5mol%、8mol%Ho^3＋掺杂的Ba（0.65）Sr（0.35）TiO3薄膜,研究了薄膜的表面AFM、XRD谱、光学透射谱和光......
采用改进的化学修饰的溶胶-凝胶工艺,以聚乙烯吡咯烷酮（PVP）为薄膜开裂抑制剂,以乙酰丙酮为化学修饰剂,利用乙酰丙酮可以与金属盐形......
综述了钛酸锶钡[Ba1-xSrxTiO3（简称BST）]薄膜的制备方法及研究进展,介绍了衬底和电极材料对BST薄膜性能的影响,讨论了引入缓冲层、掺......
Ba1-xSrxTiO3(BST)薄膜具有非线性强、漏电流小、不易疲劳等特点,在高密度动态随机存储器的应用,受到了极大关注.以水基溶液为前驱......
采用脉冲激光沉积（PLD）法在Pt／Ti／SiO2／Si（001）基片上制备了Ba0.6Sr0.4TiO3（BST）薄膜，对PVBST／Pt电容器在空气中进行400℃快速退火（RTA）处理，研究......
研究了Pt/Ti／SiO2／Si基片上制备Ba0.7Sr0．3TiO3（BST7／3）薄膜时，基片加热温度和溅射功率对薄膜显微形貌和成相的影响。实验结果表明：常温下......
选取极薄TiO2作为过渡层，采用脉冲激光沉积法分别在Si（100）和Pt（111）／Ti／SiO2／Si（100）基底上制备了Ba0．6Sr0．4TiO3（BST）薄膜，研究过渡层对BST薄膜......
BST铁电薄膜具有优异的介电性能,电极材料特别是底电极材料,影响并决定BST薄膜的电学及介电行为,选择合适的电极材料对BST薄膜的性......
采用水基溶胶-凝胶工艺成功地制备了成分均匀的Ba0.7Sr0.3TiO3／Si铁电薄膜。利用光镜、SEM、TEM、XRD等手段对溶胶．凝胶和薄膜的结构......
由于界面之间的扩散,很难取得在Si基片上BST薄膜的外延.在这种异质结之间,稳定的缓冲层起着良好的阻挡作用以及结构上的延伸功能.......
采用射频磁控溅射法制备了Ba0.6Sr0.4TiO3(简称BST)薄膜材料,研究了BST薄膜的组成、晶体结构、表面形貌及介电性能.介电偏压特性曲......
